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马锡英教授 Prof. Xiying Ma
浏览: 发布日期:2017-09-19

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一、基本情况
1987年兰州大学物理系半导体专业本科毕业,获学士学位;1992年中科院冰川冻土所硕士研究生毕业,获硕士学位;1998年于兰州大学凝聚态物理专业博士毕业获博士学位;1999-2000年在加拿大曼尼妥巴大学访问学者,2000-2002年中国空间研究院兰州物理所博士后出站。曾获市级专业技术拔尖人才、学术带头人和省高校中青年教师学科带头人等称号。评论特约评论员。

二、主要研究领域及学术成就
近年来主要从事光子晶体、Ge/Si低微结构的生长及半导体材料的掺杂与光电器件方面的研究。现主持国家自然科学基金项目“稀磁锗(Ge)介观量子环的光电磁特性研究(60976071)”和苏州市科技计划项目(60276025),已完成国家自然科学基金项目“II-VI族半导体纳米晶体的掺杂特性研究(60776004)”和“CdS三维光子晶体的制备及其光子带隙的研究”及省自然基金项目1项。成功研制了Ge量子点和量子环光电探测器、高密度电荷存储器等新型光电子器件,研究成果获国家自然基金委优秀成果。研究成果获省高校科技成果奖、市科技进步奖二等奖及省级科技进步三等奖等多项奖项,出版了《光子晶体原理与应用》专著和《半导体纳米晶体的光学性质》译著。已发表学术论文50多篇,其中SCI收录30余篇。

三、代表性科研成果
1.《光子晶体原理与应用》马锡英 编著,科学出版社,2010年。
2. Xiying Ma. Memory properties of a Ge nanoring MOS device fabricated by pulsed laser deposition,Nanotechnology,V. 19, 27506, 2008. (SCI Index:3.3)
3. Xiying Ma, Z. Yan, B. Yuan, B. Li. The Light Emitting Properties of Ge Nanocrystals Grown by Pulsed Laser Deposition, Nanotechnology, V. 16, 832-835, 2005. (SCI Index:3.3)
4. Xiying Ma, L. Zhang. Fabrication of Ge quantum rings from the droplets by pulsed laser deposition,Applied Physics B-Lasers and Optics, V. 91,173-176, 2008. (SCI Index:2.2)
5. Xiying Ma, C. Wang. Memory Properties of a Ge Nanocrystals MOS Device Fabricated by Pulsed Laser Deposition, Applied Physics B-Lasers and Optics, V.95,589-592, 2008. (SCI Index:2.2)
6. Xiying Ma, W. Shi, Z.Yan, Baoping Shen. Fabrication of Silica/Zinc Oxide Core-Shell Colloidal Photonic Crystals,Applied Physics B-Lasers and Optics, V. 88(22), 245-248, 2007. (SCI Index:2.2)
7. Xiying Ma. Optical of Characteristics of CdS Photonic Crystals, Applied Physics B-Lasers and Optics, V.84, 339-341, 2006. (SCI Index:2.2)
8. Shihua Huang, Xiying Ma. Optical Characteristics of Laser-CrystallizedSi1.XGex Nanocrystals. Nanotechnology, V. 14, 25- 28, 2003.
9. Xiying Ma, Baohe Yuan, Fabrication of carbon nanoflowers by plasma-enhanced chemical vapor deposition, Applied Surface Science, 255(2009) 7846-7850. SCI.
10. Xiying Ma, The Properties of Ge Quantum Rings Deposited by Pulsed Laser Deposition, Journal of Nanoscience and Nanotechnology, Vol.10, 4640-4643, 2010. SCI.

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